据外媒报道，近日，日本三菱电机公司(Mitsubishi Electric Corporation)宣布推出N系列1200V碳化硅 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)，该产品功率损耗低且自接通耐受性高，还可以帮助降低功耗，实现电动汽车(EV)车载充电器、光伏电力系统等供电系统(需要转换高压)的小型化，产品样品将于今年7月开始发货。
三菱电机还将在大型贸易展会上展示其新款N系列1200V SiC-MOSFET，包括将于11月16日至18日在中国上海举办的2020 PCIM Asia(上海国际电力元件、可再生能源管理展览会)上进行展示。
产品特点：
1、 降低功耗，实现供电系统的小型化
A、结型场效应晶体管(JFET)掺杂技术既降低了1200V SiC-MOSFET的开关损耗和导通电阻，还让其达到行业领先的品质因数(FOM)——1,450mΩ·nC。与采用传统的硅绝缘栅门极晶体管(Si-IGBT)相比，用于供电系统的1200V SiC-MOSFET的功耗降低了约85%。
B、通过降低镜面电容(在MOSFET结构中，栅极和漏极之间存在的杂散电容)，与竞争对手的产品相比，1200V SiC-MOSFET的自接通耐受性提高了14倍。因此，可实现快速的开关操作，降低开关损耗。
C、由于降低了开关功率损耗，通过驱动具有更高载频的功率半导体，得以实现冷却系统及周边部件(如反应器)的小型化和简单化，从而有助于降低整个供电系统的成本的尺寸。
2、 有六款1200V SiC-MOSFET，包括符合AEC-Q101规格的型号，适用于各种应用
A、N系列1200V SiC-MOSFET产品包括符合美国汽车电子委员会AEC-Q101规格的型号，因此，该产品不仅适用于光伏系统等工业应用，也可用于电动汽车车载充电器。(转载于：车质网）
