全化学镀铜工艺技术
全化学镀铜工艺方法解决深孔电镀问题是一种途径,它是利用化学催化作用,而不是电气作用来沉积铜,由于不需要施加电流,因而也就不存在由于电流分布不均匀而导致的镀层分布不均匀的问题。全化学镀铜的沉积速率为1.78-2.03μm/hr,按照这个速率沉积30μm的铜层需要18小时以上,生产效率很低,但它的工作负载高达0.25-0.5平方英尺/4.5升(0.05-0.10平方米/升)而电化学方法的工作负载只有0.002平方米/升,其化学组份采用自动分析仪来控制,在生产过程中沉积速度可以采用沉积速度试验板来定期监控。
如把此种类型的工艺技术用生产自动流水线上,仅需要在现有的化学沉铜线上增加一个10%弱腐蚀槽和一个全化学沉铜槽就可以了。但从试验报告中获知,此种类型的工艺方法,对通孔电镀能力很强,表面与孔镀层厚度比接近1:1,但它的最大缺陷就是铜层的最重要的物性-延伸率只有2-3%,离标准差距较大,而且镀层脆,特别是经热冲击后铜镀层容易产生破裂。
相关阅读:
印刷电路板掩膜孔铜加厚电镀工艺
印刷电路板掩膜露孔电镀成型工艺
技术洞察——印刷电路板技术发展趋势
热点关注:
2008表面处理行业十佳评选全面启动 我要报名
【我要评论】
【大 中 小】 【打印】