上海，2020年7月24日–富士通电子元器件（上海）有限公司近日宣布，推出型号为MB85RS4MTY的4MbitFRAM，其容量达到FRAM产品最 高水平，运作温度最 高可达125℃。目前可为客户提供评测版样品。
这款全新FRAM是非易失性内存产品，在125℃高温环境下可以达到10兆次读/写次数，工作电流低，是工业机器人和高级驾驶辅助系统（ADAS）等汽车应用的最 佳选择。
FRAM的读/写耐久性、写入速度和功耗均优于EEPROM和闪存，并已量产20多年，近年来广泛用于可穿戴设备、工业机器人和无人机。
自去年发布以来，2MbitFRAMMB85RS2MTY已在汽车和工业设备中获得广泛应用，而MB85RS4MTY将其容量提高了一倍，达到4Mbit，满足更高容量的需求，配有SPI接口，工作电压为1.8V至3.6V。由于这款FRAM工作电流低，即使在125℃高温下，最大工作电流仅为4mA（运作频率50MHz），最大掉电模式电流为30µA，因此有助于降低环境敏感应用的功耗。
这款全新FRAM在-40℃至+125℃温度范围内可以达到10兆次读/写次数，适合某些需要实时数据记录的应用。例如，每0.03毫秒重写
一次数据，同一地址连续记录数据可达10年之久。
这款FRAM产品采用业界标准8-pinSOP封装，可轻松取代现有类似引脚的EEPROM。此外，还提供8-pinDFN（无引线双侧扁平）封装。
图1：MB85RS4MTY8-pinDFN（顶部・底部）
图2：FRAM应用实例
富士通电子将继续提供内存产品和解决方案，满足市场和客户的未来需求。
关键规格
•组件型号：MB85RS4MT
•容量（组态）：4Mbit（512Kx8位）
•接口：SPI（SerialPeripheralInterface）
•运作频率：最 高50MHz
•运作电压：1.8V-3.6V
•运作温度范围：-40°C-+125°C
•读/写耐久性：10兆次（1013次）
•封装规格：8-pinDFN，8-pinSOP
