在Si基板上形成的LED应该比蓝宝石基板LED便宜得多。硅晶圆的价格一直低于蓝宝石晶圆,今后这一情况也仍将继续,因此使用硅基GaN基板的削减成本的效果可立即表现出来。削减成本最有效的方式是在自动化程度高、已经完成了折旧的Si-CMOS工厂加工磊晶晶圆。LED制造工艺与CMOS生产线完全兼容,无需追加投资这一点也非常重要。
但成本削减的效果也有可能被制造中的问题抵消掉,这个问题就是,Si与GaN的热膨胀系数和晶格常数不同,两者之间存在热失配和晶格失配,会造成LED的外延晶圆龟裂或是弯曲。Si基板通常会设置位错控制层,但在量产时很难进行位错控制。因此难以建立起可以重现的稳定高成品率的量产工艺。
硅基GaN基板量产企业正在试图摆脱垄断
面向市场量产硅基GaN基板LED的企业只有中国的晶能光电一家。在整个LED市场上,该技术所占份额还不到1%。德国欧司朗光电半导体(Osram Opto Semiconductors)恐怕将成为最大规模的新进企业。该公司现在使用的是150mm晶圆(6英寸)的试产线,硅基GaN基板的性能正在逐渐逼近蓝宝石基板,到使用200mm(8英寸)生产线进行量产估计需要2年左右的时间。
另一方面,美国普瑞光电(Bridgelux)曾在2011年宣布,将把全部产品从蓝宝石基板改换为Si基板,并发布了多款高性能LED,但比蓝宝石基板产品的性能要差一些。当时,该公司使用1枚200mm的晶圆能够生产约1000枚芯片,而具有商业吸引力的产量约为2万枚,但如果现在的产量接近这个数字的话就会有一定优势。普瑞光电正准备与东芝合作,从2013年开始在日本使用200mm硅晶圆进行生产。美国飞利浦流明也是享受美国能源部补贴开发Si基板的主要LED企业,该公司发表的关于75mm(3英寸)晶圆的研究结果备受瞩目,现在研究的对象是150mm晶圆。除此之外,韩国三星也对使用200mm硅晶圆制造的器件进行了验证。