随着在晶圆代工领域的竞争对手台积电与三星，均已陆续进入10奈米制程技术领域。因此，半导体大厂英特尔（intel）也不甘示弱，在19日于中国北京所举办的尖端制造大会上，正式公布了自家的10奈米制程技术，以及全球首次对外展示的10奈米的晶圆。intel还宣布，将在接下来的技术大会上，除了介绍了自家的10奈米制程技术之外，同时也将与竞争对手，也就是台积电以及三星的10奈米制程技术进行比较。
会议上，Intel高级院士、制程构架总监MarkT.Bohr发表了Intel的10奈米制程技术。MarkT.Bohr表示，与台积电和三星等竞争对手的对比，可以看到Intel的10奈米制程技术在鳍片的间距，以及栅极间距均低于台积电与三星，而且最小金属间距更是大幅领先其竞争对手。
另外，进而在最终的逻辑晶体管密度参数上面，Intel的10奈米制程技术能够达到每平方毫米1亿晶体管，而台积电为4,800万，三星为5,160万，也就是说Intel的10奈米制程技术晶体管密度是台积电的2倍还多。
另外，在英特尔执行副总裁StacyJ.Smith讲解完Intel未来战略演讲后，Smith还向全世界首次展示了以最新10奈米制程技术所打造的晶圆，这也是未来CannonLakeCPU的最基础的部分，可以说这个10奈米的晶圆是全球首次展示。虽然，Intel表示自家的10奈米制程技术还将会领先竞争对手很多，而且未来还有10奈米+以及10奈米++制程技术。
不过，在目前Intel还没有对最新的10奈米制程技术释出更多的技术信息情况下，相关的状况仍无法完全确认。不过，intel已经表示，将会在2017年底前正式投产10奈米制程技术的处理器。
