前一阵我们做了一个二极管的专题，详细介绍了它的“前世今生”，今天来聊聊它的好基友MOSFET。
MOSFET最近的行情好似过山车，刚有风声说缺货要缓解，随即日本惊天一震，上游硅晶圆陷入危机，加之受中美贸易战火波及，
MOSFET市场又变得扑朔迷离。
下篇：
●MOSFET：起名是一门艺术
●三分钟了解MOSFET
●拓展：MOSFET进修班
说MOSFET前，先来了解一下场效应管。
场效应管（英语：field-effecttransistor，缩写：FET）是一种通过电场效应控制电流的电子元件。它依靠电场去控制导电沟道形状，因此能控制半导体材料中某种类型载流子的沟道的导电性。
场效应管分为MOS场效应管（MOSFET）和结型场效应管（JFET）。现在主要使用MOS场效应管，即通常所称的MOS管。
一、关于MOSFET：起名是一门艺术
金属氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管，英语：Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，也就是我们说的MOSFET。
MOSFET是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。依照其沟道极性的不同，可分为：
【1】电子占多数的N沟道型
【2】空穴占多数的P沟道型
【3】通常被称为N型金氧半场效晶体管（NMOSFET）
【4】P型金氧半场效晶体管（PMOSFET）
图1：显微镜下的MOSFET测试用组件。
图中有两个栅极的接垫（pads）以及三组源极与漏极的接垫。
二、MOSFET的核心
图2：金属—氧化层—半导体结构
MOSFET在结构上以一个金属—氧化物层—半导体的电容为核心（现在的MOSFET多半以多晶硅取代金属作为其栅极材料），氧化层的材料多半是二氧化硅，其下是作为基极的硅，而其上则是作为栅极的多晶硅。这样的结构正好等于一个电容器，氧化层为电容器中介电质，而电容值由氧化层的厚度与二氧化硅的介电系数来决定。栅极多晶硅与基极的硅则成为MOS电容的两个端点。
当一个电压施加在MOS电容的两端时，半导体的电荷分布也会跟着改变。
三、MOSFET电路符号表示方法：
常用于MOSFET的电路符号有多种形式，最常见的设计是以一条垂直线代表沟道（Channel），两条和沟道平行的接线代表源极（Source）与漏极（Drain），左方和沟道垂直的接线代表栅极（Gate），如下图所示。有时也会将代表沟道的直线以虚线代替，以区分增强型（enhancementmode，又称增强式）MOSFET或是耗尽型（depletionmode，又称耗尽式）MOSFET。
图3：几种常见的MOSFET电路符号加上结型场效应管一起比较
举例：N-MOSFET
图4：一个NMOS晶体管的立体截面图
对这个NMOS而言，真正用来作为沟道、让载流子通过的只有MOS电容正下方半导体的表面区域。当一个正电压施加在栅极上，带负电的电子就会被吸引至表面，形成沟道，让n-type半导体的多数载流子—电子可以从源极流向漏极。如果这个电压被移除，或是放上一个负电压，那么沟道就无法形成，载流子也无法在源极与漏极之间流动，也就是可以透过栅极的电压控制沟道的开关。
四、双重（互补式）MOSFET（CMOS,ComplementaryMOS）开关
为了改善单一MOSFET开关造成信号有损的缺点，使用一个PMOS加上一个NMOS的CMOS开关（Transmissiongate）成为目前最普遍的做法。
CMOS开关将PMOS与NMOS的源极与漏极分别连接在一起，而基极的接法则和NMOS与PMOS的传统接法相同（PMOS的基极接到最高电压，即VDD；NMOS的基极接到最低电压，即VSS或GND）。要令开关导通时，则把PMOS的栅极接低电位（VSS或GND），NMOS的栅极接高电位（VDD）。
当输入电压在（VDD-Vthn）到（VSS+Vthp）时，PMOS与NMOS都导通，而输入小于（VSS+Vthp）时，只有NMOS导通，输入大于（VDD-Vthn）时只有PMOS导通，这样做的好处是在大部分的输入电压下，PMOS与NMOS皆同时导通，如果任一边的导通电阻上升，则另一边的导通电阻就会下降，所以开关的电阻几乎可以保持定值，减少信号有损。
ROHMSiCMOSFET
与Si半导体相比，SiC功率元件可进一步实现小型化、低功耗及高效化。它在高温环境下具备优良的工作特性，且开关损耗更低，作为新一代低损耗元件，备受期待。
罗姆作为SiC功率元器件的领先企业，自上世纪90年代起便着手于SiC功率元器件的量产化，并于2010年全球首家成功实现了SiC-MOSFET的量产。
ROHM第3代与第2代SiCMOSFET
ROHM开发出全球首款采用沟槽结构（第三代）的SiCMOSFET元器件，并成功实现量产。
元器件实现了更低的导通电阻，降低了所有设备的功率损耗。
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