慧聪LED屏网8月22日报道 2011年8月18日上午，东莞市科技局组织并委托东莞市科技中介同业公会组织有关专家，召开了由东莞市福地电子材料有限公司完成的“GaN基LED大功率芯片”项目科技成果鉴定会。鉴定会由同业公会主持，来自北京大学、暨南大学、中国科学院等单位的七名业内专家教授组成鉴定委员会。公司相关项目负责人参加了鉴定会，并对专家提出的问题进行了答辩。
福地电子GaN基LED大功率芯片项目通过鉴定
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鉴定会上，公司副总经理王维昀首先就项目的研究成果、技术研发、技术路线、研发原理及科技查新等，向与会专家做了详尽的汇报。专家们认真听取了项目成果汇报，审查了相关材料，考察了生产现场，经过严格质询和讨论，一致同意该项目通过科技成果鉴定并形成统一意见：由福地电子所完成的“GaN基LED大功率芯片”项目创新性地采用激光打孔、镜面反射、等离子体刻蚀等技术，研制出新型GaN基LED大功率芯片，发光效率提高30%以上；产品具有发光效率高、寿命长、节能环保等特点；项目成果具有多项自主知识产权，在LED芯片制造技术方面达到国内领先水平。
福地电子“GaN基LED大功率芯片”项目顺利通过科技成果鉴定，是公司在科技进步与创新方面取得的又一进步。该项目有效解决了LED产业链中照明用GaN基础蓝光大功率芯片设计制造的关键技术，极大的提高了LED大功率芯片制备行业的技术水平，提升了福地电子在LED业内的品牌地位和影响力。
