Rensselaer Polytechnic Institute(RPI,纽约州Troy)的研究人员公布了他们在发光二极管(LED)上的研究进展,可以极大的提高LED的照明性能和能量效率。他们与三星电机(Samsung Electro-Mechanics,韩国水原市)合作开发了极化匹配LED,其照明输出提高了20%,同时表征LED转化效率的参数,电光转换效率提高了25%。 新器件显著地降低了“效率沉降”现象,而该现象正是LED器件效率的主要限制因素。众所周知,当低密度电流流过LED时,其效率最高。但有些应用,比如亮度更高的灯泡,需要采用高功率器件,这样LED就会损失效率。尽管效率沉降的原理还没有完全清晰,但已有研究表明,一大部分原因来自于电子泄漏。
“在过去的两年里,这一问题获得了研究界广泛的关注;也是固态照明技术在应用时最主要的障碍,”该研究项目的主管Fred Schubert介绍,他同时也是Rensselaer的教授,以及该校国家科学基金(NSF)资助智能发光工程研究中心的主任。
“我们追踪到电子从发光的有源区逃逸的过程。在有源区,我们希望电子保持在空穴里,这样可以重组并发光;然而,如果载流子离开了活性区,很明显将不再有重组发生。我们认为这是效率沉降的源头:载流子之一离开了活性区;这就形成了活性区的漏电。”
由于目前的高亮度LED都工作在超过效率峰值的高电流密度范围,因此这种现象非常普遍。很自然的想法是降低工作电流密度到效率峰值区域,但其亮度无法接受,因此这一难题也成为LED应用的巨大障碍。
其他研究人员也尝试过电子阻挡层,但结果却不尽人意。PRI的研究小组——由学者、工业界伙伴和学生组成——则采用了极化匹配的概念。他们在有源区使用四极性材料,采用四极性和三极性材料的复合物,用不同方法降低极性,每种方法都得到了积极的结果。
新的LED具有全新设计的极性-匹配有源区,可以让器件在高电流密度区域获得效率峰值。他们研究了LED中产生光的有源区,研究人员发现,里面带有极性失配的材料,很可能就是电子泄露,也就是效率降低的原因。更多的研究显示,通过采用不同的量子障碍设计,可以极大的降低极性失配。采用传统GaInN/GaInN 来替换LED有源区的GaInN/GaN层。可以获得更匹配的极性,降低了电子泄露和效率沉降。
LED中传统GaInN/GaN有源区和新型极化匹配GaInN/GaInN有源区的能带图
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