慧聪表面处理网讯：碳化硅具有高机械强度、化学稳定、耐一腐蚀等性能，是一种非常重要的基础材料。而超细粉体在集成系统、电子技术、光子技术、精密仪器、国防工业和机械工业等多种领域里广泛应用。在这些应用中粉末的纯度直接影响最终产品的质量，而粉末表面各种微量杂质元素的量直接决定着粉末纯度，因此建立碳化硅粉表面各种微量杂质元素量的检测方法是很必要的。
2019年9月1日起，高纯碳化硅微量元素的测定启用新国标(GB/T37254-2018)。
高纯碳化硅微量元素的测定(GB/T37254-2018)规定了采用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-OES)法和电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)法测定高纯碳化硅中微量元素含量的方法。
本标准适用于碳化硅质量分数含量大于或等于99.9%的高纯碳化硅材料中铝、砷、钙、铬、铜、铁、汞、钾、镁、锰、钠、镍、铅、硫、钛、锌等16种元素的测定。各元素的测定范围见表1(以质量分数计)。
附陶瓷行业其他标准的实施情况
