随着5G应用需求逐步升温，半导体厂商也正积极布局化合物半导体氮化镓(GaN)元件，挟着硅制程固有的规模经济优势，抢进氮化镓应用领域。在中国台湾方面，包括晶圆代工龙头台积电、汉磊投控旗下晶圆代工厂汉磊科、硅晶圆大厂环球晶，都已小量生产中，效益可望从明年起陆续显现。
5G、电动车应用推升高频率、高功率元件需求，而第三代宽频化合物半导体材料氮化镓，主要应用于600至1000伏特的电压区间，具备低导通电阻、高频率等优势，可在高温、高电压环境下运作，应用包括变频器、变压器与无线充电，为国防、雷达、卫星通讯与无线通讯基地站等无线通讯设备的理想功率放大元件。
由于氮化镓适用于高频环境，在5G进展至毫米波频段之下，氮化镓可提供高频射频元件技术上更好的选择，业界看好，氮化镓元件将逐步取代横向扩散金氧半导体(LDMOS)，成为5G基地台主流技术。且在手机功率放大器(PA)方面，因GaN材料具备高频优势，未来也可望取代砷化镓制程，成为市场主流。
现行的氮化镓功率元件，以GaN-on-Si(硅基氮化镓)、GaN-on-SiC(碳化硅基氮化镓)2种晶圆为主，虽然GaN-on-SiC性能相对较佳，但价格大幅高于GaN-on-Si，且GaN-on-Si可利用硅制程固有的规模经济优势，也成为目前台厂着眼的目标。
台积电目前已小量提供6吋GaN-on-Si晶圆代工服务，650伏特和100伏特氮化镓积体电路技术平台，预计今年开发完成。今年2月也宣布结盟意法半导体，意法将采用台积电的氮化镓制程技术，生产氮化镓产品，加速先进功率氮化镓解决方案开发与上市，携手抢攻电动车市场商机。
台积电总裁魏哲家也说，氮化镓制程技术目前进展不错，符合客户要求，但目前还是小量生产，预计未来将广泛、且大量被使用。
除台积电外，晶圆代工厂世界先进在氮化镓材料上已投资研发4年多，与设备材料厂Kyma、及转投资氮化镓硅基板厂Qromis携手合作，着眼开发可做到8吋的新基底高功率氮化镓技术GaN-on-QST，今年底前将送样客户做产品验证，初期主要瞄准电源相关应用。
硅晶圆大厂环球晶近来也积极布局半导体新材料，氮化镓材料已小量生产，今年将加大投资力道，应客户需求扩产，双方正在商谈合作细节。
磊晶硅晶圆厂嘉晶6吋GaN-on-Si磊晶硅晶圆，已进入国际IDM厂认证阶段，并争取新订单中；同属汉磊投控集团的晶圆代工厂汉磊科，已量产6吋GaNonSi晶圆代工，瞄准车用需求，相关元件第3季可望小量出货，效益预期将从明年起发酵。
在国内方面，除了有英诺赛科这些做IDM的氮化镓厂商外，还有做晶圆代工的海威华芯新以及三安光电这些做晶圆代工的企业。一场新的竞争正在蓄势待发。
