后疫情时期，Mini LED迎来快速发展的时期，而被视为未来显示技术“终结”的Micro LED也正成为LED企业，乃至于面板厂、TV厂商们加速布局的关键市场。
高昂的成本和不配套的产业链体系一直是制约Micro LED发展的关键性因素，尤其是成本更是阻碍Micro LED显示屏进入万亿级家庭消费市场的拦路虎。
巨量转移技术不成熟、红光LED效率低，良率差也是Micro LED成本居高不下的重要原因。
“巨量转移和红光效率低是Micro LED发展目前面临的两大关键瓶颈。“中国科学院院士、南昌大学教授江风益在日前举行的“2020MicroLED产业技术峰会”上表示，目前的红光材料使用磷化镓，效率很低，质地很脆，还属于第二代半导体材料。
江风益认为，磷化镓红光在Mini LED尺寸小一点可以过得去，但进入MicroLED，目前的磷化镓红光就遇到了挑战。
尤其是未来Micro LED走向柔性可折叠，目前的红光根本无法满足。
华灿光电副总裁李鹏博士就曾表示，LED技术为了取得更好的显示效果和分辨率，需要芯片微缩化，LED自发光显示微缩化的核心就在于Mini/Micro LED芯片。
有业界人士告诉高工新型显示，Mini/Micro LED芯片的良率问题主要还是聚焦在红光倒装芯片领域。“红光倒装LED芯片的技术难度比蓝绿光的都要高，因为红光倒装芯片一般需要进行衬底转移以及固晶焊接，而芯片在转移以及固晶焊接的过程中，由于工艺环境以及各种不可控因素的影响，产品的良率和可靠性几乎很难保证。”
要解决红光效率及可靠性问题，红光芯片采用第三代半导体氮化镓材料就成为一种选择。
“Micro LED RGB三基色用第三代半导体，而不是用第二代半导体，这在技术方面是一个发展趋势。”江风益院士表示。
据了解，目前的RGB LED由两种材料组合而成：红光LED由磷化铟镓(InGaP)制成，而蓝光和绿光LED由氮化铟镓(InGaN)半导体组成。要在Mini/Micro LED中整合两种材料系统存在很大困难。
据高工新型显示从业界了解的信息，目前红光受限于材料与特性，可能50%的良率都未必能达到。
解决红光的效率和可靠性问题就成为目前业界关注的焦点。
包括华灿光电在内的LED芯片企业在红光芯片领域也已经取得了一定的突破。
据李鹏博士介绍，在红光MiniLED芯片技术方面，华灿开发出高键合良率的转移和键合工艺;并设计了顶伤防护层，优化材料沉积工艺，增强膜质，保证无外延顶伤风险。
据了解，目前华灿光电红光Micro LED效率也到达了国际领先水平，并针对不同转移方式，可以提供多种形式的MicroLED样品。
在氮化镓红光LED方面，日前，英国Micro LED公司Plessey宣布开发出世界上首个硅基InGaN红光LED。
与现有的基于AlInGaP的红光相比，基于InGaN的红光具有更低的制造成本、可扩展至更大的200 mm或300 mm晶圆以及更好的热/冷系数，因此具有极大的吸引力。
“Mini/Micro-LED显示对比现有的OLED、LCD，在各个方面都有优势。”李鹏博士认为，Mini/Micro LED的结构很简单，目前虽然成本很高，但随着全产业链的努力，成本会做的非常有竞争力，同时在柔性方面也会做的很好。
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