- 品牌/型号:IR/国际整流器/IRF9952TR
- 沟道类型:N沟道
- 导电方式:增强型
- 品牌:IR/国际整流器
- 型号:IRF9952TR
- 封装外形:SMDSO/表面封装
- 用途:D/变频换流
【型号】:IRF9952TR
【品牌】:IR
【封装】:SOP8
标准包装 | 4,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 阵列 |
系列 | HEXFET® |
FET 类型 | N 和 P 沟道 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 3.5A,2.3A |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) | 100 毫欧 @ 2.2A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 14nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 190pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 2W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SO |
包装 | 带卷 (TR) |
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