- 品牌:Panasonic/松下
- 型号:HG-C1030
- 用途类型:激光位移传感器
种类测量中心距离200mm型测量中心距离400mm型
型号NPN输出HG-C1200HG-C1400
PNP输出HG-C1200-PHG-C1400-P
符合规则EMC适合指令、FDA规则 |
测量中心距离200mm | 400mm |
测量范围±80mm | ±200mm |
重复精度200μm | 300μm(测量距离200~400mm)800μm(测量距离400~600mm) |
直线性±0.2%F.S. | ±0.2%F.S.(测量距离200~400mm)±0.3%F.S.(测量距离400~600mm) |
温度特性0.03% F.S./℃ |
光源红色半导体激光 2级[JIS/IEC/GB/FDA(注2)]最大输出:1mW、投光波峰波长:655nm |
光束直径(注3)约ø300μm | 约ø500μm |
电源电压12~24V DC±10% 脉动P-P10%以下 |
消耗电流(注4)40mA以下(电源电压24V DC时)、65mA以下(电源电压12V DC时) |
控制输出NPN开路集电极晶体管・ 最大流入电流:50mA・外加电压:30V DC以下(控制输出-0V之间)・ 剩余电压:1.5V以下(流入电流50mA时)・ 漏电流:0.1mA以下PNP开路集电极晶体管・ 最大流入电流:50mA・ 外加电压:30V DC以下(控制输出-+V之间)・ 剩余电压:1.5V以下(流出电流50mA时)・ 漏电流:0.1mA以下 |
输出动作入光时ON/非入光时ON 可切换 |
短路保护配备(自动恢复) |
模拟输出模拟电压输出・输出范围:0~5V(报警时:+5.2V)・输出阻抗:100Ω |
模拟电流输出(注5)・输出范围:4~20mA(报警时:0mA)・输出阻抗:300Ω |
反应时间1.5ms/5ms/10ms 可切换 |
外部输入〈NPN输出型〉NPN无接点输入・输入条件无效:+8~+V DC或开路有效:0~+1.2V DC・输入阻抗:约10kΩPNP无接点输入・输入条件无效:0~+0.6V DC或开路有效:+4~+V DC・ 输入阻抗:约10kΩ |
污损度2 |
使用标高2,000m以下 |
耐环境性保护构造IP67(IEC) |
使用环境温度-10~+45℃(注意不可结露、结冰)、储存时:-20~+60℃ |
使用环境湿度35%RH~85%RH、储存时:35%RH~85%RH |
使用环境照度白炽灯:受光面照度3,000 lx以下 |
耐振动耐久10~55Hz(周期1分钟) 双振幅1.5mm XYZ各方向2小时 |
耐冲击耐久500m/s2(约50G) XYZ各方向3次 |
电缆0.2mm2 5芯复合电缆,长2m |
延长电缆0.3mm2以上电缆 最多延长至全长10m |
材质本体外壳:压铸铝 前罩:丙烯基 |
重量本体重量:约35g(不含电缆),约85g(含电缆) |
(注1):未指定测量条件时,使用条件如下:电源电压:24V DC 环境温度:+20℃ 响应时间:10ms、测量中心距离的模拟输出值。对象物体:白色陶瓷。 |
(注2):根据FDA规则中Laser Notice No.50规定,并以FDA为准。 |
(注3):测量中心距离的大小。按照中心光强度的1/e2(约13.5%)定义。如果定义区域外有漏光,并且检测点范围有高于检测点本身的强反射,测定结果可能会受到影响。 |
(注4):从2016年6月生产的产品开始进行规格变更。2016年5月前生产的产品: 40mA以下(电源电压24V DC时)、60mA以下(电源电压12V DC时) |
(注5):从2016年6月生产的产品开始追加了模拟电流输出功能。 |
种类测量中心距离30mm型测量中心距离50mm型测量中心距离100mm型
型号NPN输出HG-C1030HG-C1050HG-C1100
PNP输出HG-C1030-PHG-C1050-PHG-C1100-P
符合规则EMC适合指令、FDA规则 |
测量中心距离30mm | 50mm | 100mm |
测量范围±5mm | ±15mm | ±35mm |
重复精度10μm | 30μm | 70μm |
直线性±0.1% F.S. |
温度特性0.03% F.S./℃ |
光源红色半导体激光 2级(JIS/IEC/GB)/Ⅱ级(FDA)(注2)最大输出:1mW、投光波峰波长:655nm |
光束直径(注3)约ø50μm | 约ø70μm | 约ø120μm |
电源电压12~24V DC±10% 脉动P-P10%以下 |
消耗电流(注4)40mA以下(电源电压24V DC时)65mA以下(电源电压12V DC时) |
控制输出 〈NPN输出型〉NPN开路集电极晶体管・ 最大流入电流:50mA・ 外加电压:30V DC以下(控制输出-0V之间)・ 剩余电压:1.5V以下(流入电流50mA时)・ 漏电流:0.1mA以下〈PNP输出型〉PNP开路集电极晶体管・ 最大源电流:50mA・ 外加电压:30V DC以下(控制输出-+V之间)・ 剩余电压:1.5V以下(流出电流50mA时)・ 漏电流:0.1mA以下 |
输出动作入光时ON/非入光时ON 可切换 |
短路保护配备(自动恢复) |
模拟输出模拟电压输出・输出范围:0~5V(报警时:+5.2V)・输出阻抗:100Ω |
模拟电流输出(注5)・输出范围:4~20mA(报警时:0mA)・输出阻抗:300Ω |
反应时间1.5ms/5ms/10ms 可切换 |
外部输入〈NPN输出型〉NPN无接点输入・输入条件无效:+8~+V DC或开路有效:0~+1.2V DC・输入阻抗:约10kΩPNP无接点输入・输入条件无效:0~+0.6V DC或开路有效:+4~+V DC・ 输入阻抗:约10kΩ |
污损度2 |
使用标高2,000m以下 |
耐环境性保护构造IP67(IEC) |
使用环境温度-10~+45℃(注意不可结露、结冰)、存储时20~+60℃ |
使用环境湿度35%RH~85%RH,存储时:35%RH~85%RH |
使用环境照度白炽灯:受光面照度3,000 lx以下 |
电缆0.2mm2 5芯复合电缆,长2m |
材质本体外壳:压铸铝 前罩:丙烯基 |
重量本体重量:约35g(不含电缆),约85g(含电缆) |
(注1):未指定测量条件时,使用条件如下:电源电压:24V DC 环境温度:+20℃ 响应时间:10ms、测量中心距离的模拟输出值。对象物体:白色陶瓷。 |
(注2):根据FDA规则中Laser Notice No.50规定,并以FDA为准。 |
(注3):测量中心距离的大小。按照中心光强度的1/e2(约13.5%)定义。如果定义区域外有漏光,并且检测点范围有高于检测点本身的强反射,测定结果可能会受到影响。 |
(注4):从2016年6月生产的产品开始进行规格变更。2016年5月前生产的产品: 40mA以下(电源电压24V DC时)、60mA以下(电源电压12V DC时) |
(注5):从2016年6月生产的产品开始追加了模拟电流输出功能。 |
种类测量中心距离50mm型
型号NPN输出HG-C1050L
PNP输出HG-C1050L-P
测量中心距离50mm |
测量范围±4mm |
重复精度20μm |
直线性±0.3% F.S. |
温度特性0.03% F.S./℃ |
光源红色半导体激光 1级(JIS/IEC/GB)最大输出:0.2mW、发光光束波长:655nm |
光束直径(注2)约ø150μm |
受光元件CMOS图形传感器 |
电源电压12V~24V DC±10% 脉动P-P10% |
消耗电流40mA以下(电源电压24V DC时)、60mA以下(电源电压12V DC时) |
控制输出 〈NPN输出型〉NPN开路集电极晶体管・ 最大流入电流:50mA・ 外加电压:30V DC以下(控制输出和0V之间)・ 剩余电压:1.5V以下(流入电流50mA下)・ 漏电流:0.1mA以下〈PNP输出型〉PNP开路集电极晶体管・ 最大源电流:50mA・ 外加电压:30V DC以下(控制输出和+V之间)・ 剩余电压:1.5V以下(流出电流50mA下)・ 漏电流:0.1mA以下 |
输出动作入光时ON/非入光时ON 可切换 |
短路保护配备(自动恢复) |
模拟输出电压・输出范围:0V~5V(报警时:+5.2V)・输出阻抗:100Ω |
电流・输出范围:4mA~20mA(报警时:0mA)・负载阻抗:300Ω最大 |
反应时间1.5ms/5ms/10ms 可切换 |
外部输入〈NPN输出型〉NPN无接点输入・输入条件无效:+8V~+V DC或者开放有效:0V~+1.2V DC・输入阻抗:约10kΩPNP无接点输入・输入条件无效:0V~+0.6V DC或者开放有效:+4~+V DC・ 输入阻抗:约10kΩ |
保护构造IP67(IEC) |
污染度2 |
使用环境温度-10℃~+45℃(注意不可结露、结冰)、存储时:-20℃~+60℃ |
使用环境湿度35%RH~85%RH、存储时:35%RH~85%RH |
使用环境照度白炽灯:受光面照度3,000 lx以下 |
使用标高2,000m以下 |
电缆0.2mm2 5芯复合电缆长2m |
材质本体外壳:铝铸件 前面盖板:丙烯基 |
重量约35g(不含电缆)、约85g(含电缆) |
适用规格符合EMC指令 |
(注1):未指定测量条件时,使用条件如下:电源电压:24V DC、环境温度:+20℃、反应时间:10ms、测量中心 距离的模拟输出值。对象物体:白色陶瓷。 |
(注2):该值为测量中心距离上的值。按照中心光强度的1/e2(约13.5%)定义这些值。如果定义区域外有漏光,并且 检测点范围有高于检测点本身的强反射,检测结果可能会受到影响。 |
(注3):测量中心距离的大小。按照中心光强度的1/e2(约13.5%)定义。如果定义区域外有漏光,并且检测点范围有高于检测点本身的强反射,测定结果可能会受到影响。 |
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