- 品牌/型号：Toshiba/东芝/2SK4106
- 封装外形：P-DIT/塑料双列直插
- 型号：2SK4106
- 材料：N-FET硅N沟道
- 用途：S/开关
- 品牌：Toshiba/东芝
- 沟道类型：N沟道
- 种类：绝缘栅MOSFET
- 导电方式：增强型
产品型号:2SK4106TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSVI)
封装:TO-220F
品牌：TOSHIBA/东芝
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500
夹断电压VGS(V):±30
最大漏极电流Id(A):12
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.52 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):45
输入电容Ciss(PF):1500 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：8.5
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):364
导通延迟时间Td(on)(ns):50 typ.
上升时间Tr(ns):22 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):170 typ.56下降时间Tf(ns):36 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:2SK4106,500V,12A,0.52Ω N-沟道增强型场效应晶体管
深圳市金城微零件有限公司地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E专业经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等(产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\\查询\\下载.)
'
