- 品牌：国产
- 型号：6N60 、60N06 、IRF640
- 类型：结型场效应管
- 沟道类型：N型沟道
- 导电方式：耗尽型
- 适合频率：低频
- 封装外形：SMDSO/表面封装
- 材质：N-FET硅N沟道
- 工作电压：详见参数V
- 工作电流：详见参数A
- 最大允许功耗：详见参数W
- 用途：详见参数
- 外形尺寸：详见参数mm
- 加工定制：是
西安骊创电子科技有限公司
联系人：杨晓放（女士）
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地 址：西安市雁塔区太白南路269号中天国际B座2308室
西安骊创电子科技有限公司主要生产、经销高、低频大功率晶体管，高频小功率晶体管，高反压大功率晶体管、开关管，达林顿三极管等；3DD、3CD、3DK、3CK、3DG、3CG、FHD、DK、2SC、2SD、MJ、BU、2N、3DA等金封、塑封管两种形式。
封装形式有：B-1 B-3型、F1、F2、F3、F4、G3 、G4、G5、TO-3P、TO－126、TO-220等形式，大量现货库存。质量至上、信誉第一，欢迎订购。
特点：该产品具有开关性能好，饱和压降低，抗烧毁能力强，温度稳定性好。使用范围：该产品可广泛应用于大功率开关电路开关式稳压电源等电路。使用温度：-55 °--175 ° 质量等级：军标准;GB外观：F2铜直流放大系数：15-180V发射级--基级击穿电压：4V集电极-发射极电压：A 30V ;B 50V;C 80V ;D 110V; E 200V; F 250V;电流范围：10A功率：50W
